JavaScript を有効にしてご利用下さい.
商品数:0点
合計:0円
商品カテゴリから選ぶ
全ての商品 新刊タイトル 情報科学 情報学基礎 ソフトウェア ネットワーク 知能情報学 工学 ナノ・マイクロ科学 機械工学 電気電子工学 システム・制御工学 土木・建設工学 材料科学 化学 物理化学 有機化学・合成化学 無機化学 分析化学 材料化学 化学工学 物理学 基礎物理学 素粒子・原子核・宇宙物理 原子・分子・電磁気学・光学・プ... 物性物理 生物物理 数学 代数学 解析学 統計学・確率論 応用数学 離散数学 ライフサイエンス 生物学 食品科学 薬学 地球・環境科学 環境科学 エネルギー・環境 環境・資源・エネルギー 心理学 近刊タイトル 情報科学 コンピュータシステム・ハー... ネットワーク 知能情報学 工学 機械工学 電気電子工学 システム・制御工学 材料科学 化学 .物理化学 分析化学 化学工学 物理学 原子・分子・電磁気学・光学・プ... 物性物理 ライフサイエンス 生物学 植物学 薬学 エネルギー・環境 環境・資源・エネルギー 特集 CIGRE Green Books IEEE規格 MISRA規格 SAE規格 ICRP シリーズ ISTA 2016 OREDA Handbook 原子力・放射線関連 3Dバイオプリンティング 医用画像 医用光学 医療・福祉ロボット 金属生体材料 グラフェン 計画数理 固体物理学 材料物性 自動走行システム 車載セキュリティ 人工知能 医療 機械学習 統計・確率 セマンティックウェブ HCI 計算知能 言語・音声 ロボティクス 水素利用 電池 パワーエレクトロニクス フレキシブルデバイス 分光分析 分子磁性 Magnetics Spintronics Other ペロブスカイト ペロブスカイト太陽電池 工学 物理学 化学 ASM International ASHRAE Handbook 分野別 規格・仕様書 市場調査レポート ソフトウェア リファレンス 情報科学 情報学基礎 ソフトウェア コンピュータシステム・ハードウ... ネットワーク 知能情報学 工学 ナノ・マイクロ科学 機械工学 電気電子工学 システム・制御工学 土木・建設工学 材料科学 化学 物理化学 有機化学・合成化学 無機化学 分析化学 高分子化学 材料化学 環境化学 化学工学 電気化学 物理学 基礎物理学 素粒子・原子核・宇宙物理 原子・分子・電磁気学・光学・プ... 物性物理 数理物理・計算物理 生物物理 数学 数学:概論 代数学 解析学 幾何学 統計学・確率論 数理論理学 応用数学 離散数学 ライフサイエンス 生物学 植物学 動物学 基礎医学 食品科学 薬学 薬局方 地球・環境科学 大気科学・水分学・海洋学 環境科学 エネルギ- 環境 環境・資源・エネルギー 心理学 言語学 English for Aca... 経済学 社会科学 コクラン分子構造模型キット オーヴィスオリジナル Orbitセット各種 Orbitパーツ各種 原子 ボンド Minitセット各種 Minitパーツ各種 原子 ボンド Unitセット テストキット 工業規格 Siemens SN29500規格 MISRA規格
商品名を入力
検索結果で出ない商品は
お問い合わせ下さいませ
画像を拡大する
分野別 > 工学 > ナノ・マイクロ科学
特集 > 固体物理学
書名
Desciption
Graphene, the wonder material of the 21st century, is expected to play an important role in future nanoelectronic applications, but the only way to achieve this goal is to grow graphene directly on a semiconductor, integrating it in the chain for the production of electronic circuits and devices. This book summarizes the latest achievements in this field, with particular attention to the graphitization of SiC. Through high-temperature annealing in a controlled environment, it is possible to decompose the topmost SiC layers, obtaining quasi-ideal graphene by Si sublimation with record electronic mobilities, while selective growth on patterned structures makes possible the opening of a gap by quantum confinement. The book starts with a review chapter on the significance and challenges of graphene growth on semiconductors, followed by three chapters dedicated to an up-to-date analysis of the synthesis of graphene in ultrahigh vacuum, and concludes with two chapters discussing possible ways of tailoring the electronic band structure of epitaxial graphene by atomic intercalation and of creating a gap by the growth of templated graphene nanostructures.
Contents:
Foreword The significance and challenges of direct growth of graphene on semiconductor surfaces Graphene synthesized on cubic-SiC(001) in ultra-high vacuum: Atomic and electronic structure, transport properties Epitaxial Graphene from UHV decomposition of 3C-SiC/Si Diffusion and kinetics in epitaxial graphene growth on SiC Atomic intercalation at the SiC/graphene interface Epitaxial graphene on SiC: 2D sheets, selective growth and nanoribbons
見積書をお送り致します
新刊案内など配信中!!